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从工程观点看，除铁磁材料以外的媒质可认为是线性磁媒质，它们的磁导率近似等于真空磁导率μ0。置于这种媒质中的线圈的自感，差模电感设计，只和线圈及其线匝导体的形状、尺寸有关，和电流的量值无关。四种几何形状简单的线圈或回路的自感L的计算公式如下：(1)长螺线管的自感(忽略端部效应和线匝径向尺寸)式中l为螺线管的长度;S为螺线管的截面积;N为总匝数。(2)无磁芯环形密绕线圈的自感(环的截面为正方形，环的平均半径为R)式中b为正方形截面的边长;N为总匝数。若R?b，则近似有L≈μ0Nb/2πR，形式上与长螺线管自感计算式相同。(3)同轴电缆的自感(忽略端部效应)式中R1、R2分别为同轴电缆内外导体的半径;l为电缆长度;Li和Lo分别称为同轴电缆的内自感和外自>感，其中内自感Li的值仅与电缆内导体的长度有关，而与其半径无关。(4)二线传输线的自感(忽略端部效应)式中R为两导线的半径;l为传输线长度;D为两导线轴线间距离。
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美国物理学家王安1950年提出了利用磁性材料制造存储器的思想。福雷斯特则将这一思想变成了现实。 为了实现磁芯存储，差模电感器，福雷斯特需要一种物质，这种物质应该有一个非常明确的磁化阈值。他找到在新泽西生产电视机用铁氧体变换器的一家公司的德国老陶瓷专家，利用熔化铁矿和氧化物获取了特定的磁性质。
对磁化有明确阈值是设计的关键。这种电线的网格和芯子织在电线网上，被人称为芯子存储，它的有关专利对发展计算机非常关键。这个方案可靠并且稳定。磁化相对来说是永久的，所以在系统的电源关闭后，存储的数据仍然保留着。既然磁场能以电子的速度来阅读，这使交互式计算有了可能。更进一步，差模电感，因为是电线网格，存储阵列的任何部分都能访问，也就是说，不同的数据可以存储在电线网的不同位置，差模电感的作用，并且阅读所在位置的一束比特就能立即存取。这称为随机存取存储器(RAM)，它是交互式计算的革新概念。福雷斯特把这些专利转让给麻省理工学院，学院每年靠这些专利收到1500万~2000万美元。
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